परिशुद्धता डबल-अंत संरेखण बोल्ट

मल्टी{0}स्टेशन सीएनसी टर्निंग सेंटर या सटीक स्वचालित लेथ का उपयोग करते हुए, ब्लैंक को एक ही सेटअप में मशीनीकृत किया जाता है, जिससे दोनों सिरों, मध्य ज्यामिति और पूर्व-ड्रिल किए गए छेदों पर बाहरी व्यास की मशीनिंग पूरी हो जाती है, जिससे कई सेटअपों के कारण होने वाली डेटाम रूपांतरण त्रुटियां पूरी तरह समाप्त हो जाती हैं। एक ऑनलाइन माप प्रणाली (लेजर व्यास माप/दृश्य निरीक्षण) के साथ संयुक्त, टूलपाथ को वास्तविक समय में सही किया जाता है, जिससे बड़े पैमाने पर उत्पादन में आयामी स्थिरता सुनिश्चित होती है।

सटीक संरेखण आवश्यकताओं के लिए, दोनों सिरों पर धागे समकालिक रोलिंग या पीसने की प्रक्रियाओं को नियोजित करते हैं। रोलिंग प्रक्रिया में कमरे के तापमान पर धागों को प्लास्टिक रूप से बनाने के लिए सटीक सांचों का उपयोग किया जाता है, जिससे सामग्री प्रवाह रेखाओं की निरंतरता बनी रहती है (थकान शक्ति में 30 - 40% तक सुधार होता है और एक कठोर सिंक्रनाइज़ेशन तंत्र के माध्यम से दोनों सिरों पर दांत के चरणों को लगातार शुरू करना सुनिश्चित होता है। डबल-एंड थ्रेडेड डॉवेल पिन के लिए बाद की असेंबली के दौरान कोण संरेखण के लिए यह महत्वपूर्ण है।

उच्च शक्ति वाले मिश्र धातु इस्पात (जैसे एससीएम435 और 4140) के लिए, नियंत्रित वातावरण कार्बराइजिंग और शमन या तड़का उपचार का उपयोग किया जाता है। मुख्य प्रक्रिया हीट ट्रीटमेंट के बाद सटीक स्ट्रेटनिंग चरण में निहित है {{4}ऑनलाइन स्ट्रेटनेस डिटेक्शन के साथ संयुक्त हाइड्रोलिक स्ट्रेटनिंग मशीन का उपयोग करके, हीट ट्रीटमेंट विरूपण को 0.03 मिमी/मीटर के भीतर नियंत्रित किया जाता है, यह सुनिश्चित करते हुए कि डबल {{6}एंडेड लोकेटिंग बोल्ट बॉडी स्वयं असेंबली त्रुटि का स्रोत नहीं बनती है।

अनुप्रयोग परिदृश्य के आधार पर विभेदित सतह उपचार प्रदान किए जाते हैं: सटीक ऑप्टिकल उपकरण के लिए, इलेक्ट्रोलेस निकल चढ़ाना (5-8 माइक्रोन मोटाई) सुनिश्चित करता है कि आयामी सटीकता प्रभावित नहीं होती है और एक समान एंटी-संक्षारण परत प्रदान करती है; उच्च तापमान वाले वातावरण के लिए, थ्रेड जब्ती के जोखिम को कम करने के लिए मोलिब्डेनम डाइसल्फ़ाइड (MoS₂) ठोस चिकनाई कोटिंग का उपयोग किया जाता है; साफ-सुथरे वातावरण के लिए, इलेक्ट्रोपॉलिशिंग (ईपी) उपचार प्रदान किया जाता है, जिसमें कणों के बहाव को रोकने के लिए सतह खुरदरापन रा 0.4 माइक्रोन से कम या उसके बराबर होता है।